SUD50N10-34P-T4-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SUD50N10-34P-T4-E3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 5.9A/20A TO252 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 7A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 56W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.9A (Ta), 20A (Tc) |
Grundproduktnummer | SUD50 |
SUD50N10-34P-T4-E3 Einzelheiten PDF [English] | SUD50N10-34P-T4-E3 PDF - EN.pdf |
VISHAY TO-252
SUD50N10-18P VISHAY
SUD50N10-18P-T4-E3 VISHAY
MOSFET N-CH 100V 5.9A TO252
VISHAY TO252
VISHAY TO252
SUD50N10-34P VISHAY
MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252
SUD50NP04-77P-E3 VISHAY
MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
V TO252D-PAK
MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
SUD50NP04-62-4-E3 VISHAY
SUD50NP04-62-T4-E3 VB
MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
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VISHAY TO252-4
2024/05/13
2024/04/14
2024/01/23
2024/05/22
SUD50N10-34P-T4-E3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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